Silicon Carbide Sic grafit crucible pikeun lebur logam kalawan suhu luhur
Performance Crucible Silicon Carbide
| Parameter | Data | Parameter | Data |
| SiC | ≥85% | Tiis Crushing Kakuatan | ≥100MPa |
| SiO₂ | ≤10% | Porosity semu | ≤%18 |
| Fe₂O₃ | <1% | Résistansi Suhu | ≥1700°C |
| Kapadetan Bulk | ≥2,60 g/cm³ | Urang bisa ngahasilkeun nurutkeun sarat customer | |
Katerangan
Salaku jenis produk refractory canggih, Silicon carbide grafit crucible teh bahan refractory idéal dina industri metallurgy bubuk (badag bolu torowongan beusi kiln). The Silicon carbide grafit crucible dihasilkeun Rongsheng Grup ngagunakeun 98%-grade tinggi bahan baku silikon carbide grafit, sarta prosés husus ditambahkeun kana seleksi bahan baku pikeun mastikeun purity tinggi bahan baku.
Silicon carbide grafit crucible loba dipaké dina industri kimia, bahan négatip jeung beusi bolu, smelting logam, generasi kakuatan photovoltaic, widang kakuatan nuklir jeung sagala rupa furnaces, kayaning tungku frékuénsi sedeng, tungku éléktromagnétik, tungku lalawanan, tungku kristal karbon, tungku partikel, jsb.
Aplikasi
Silicon Carbide Graphite Crucible parantos janten pilihan populér pikeun pabrik kimia, pabrik beusi sareng baja, produsén listrik fotovoltaik, sareng generator listrik nuklir. Éta ogé cocog pikeun dianggo dina rupa-rupa tungku sapertos frékuénsi sedeng, éléktromagnétik, résistansi, kristal karbon, sareng tungku partikel kusabab konduktivitas termal anu saé, résistansi suhu luhur, résistansi korosi punjul, sareng résistansi ka shock termal.
Gufan Sic crucible Kauntungannana
Silicon carbide grafit crucible dihasilkeun ku Gufan Carbon Co.Ltd. boga ciri kalenturan alus, teu gampang rengat, sarta hirup layanan panjang, sarta ogé kapasitas badag tina sagger naek kaluaran, ngajamin kualitas, ngahemat tanaga gawé sarta loba waragad.
Parentah Jeung Awas Pikeun Graphite Crucible
produk patali
-
High Purity Sic Silicon Carbide Crucible Graphi ...
Silicon Carbide Crucible Performance Parameter Data Parameter Data SiC ≥85% Cold Crushing Strength ≥100MPa SiO₂ ≤10% Semu Porosity ≤%18 Fe₂O₃ <1% Résistansi Suhu ≥1700°C Bulk Density ≥1700°C 2³ 60 ≥ ≥1700°C Bulk Density ≥ ≥2³. alus teuing konduktivitas termal --- Mibanda termal alus teuing ...
-
Silicon Graphite Crucible Pikeun Metal Lebur Cla ...
Parameter Téknis Pikeun Clay Graphite Crucible SIC C Modulus of Rupture Temperature Resistance Bulk Density Semu Porosity ≥ 40% ≥ 35% ≥10Mpa 1790 ℃ ≥2.2 G/CM3 ≤15% Catetan: Urang tiasa nyaluyukeun eusi unggal bahan baku cruc nurutkeun sarat konsumén '. Katerangan Grafit dipaké dina crucibles ieu biasana dijieun ...
-
Silicon Carbide Grafit Crucible Pikeun Lebur M...
Silicon Carbide Crucible Property Item Sic Eusi Tempeatue esistance Cabon Content Appaent Poosity Bulk Density Data ≥48% ≥1650 °C ≥30%-45% ≤%18-%25 ≥1.9-2.1g/cm3 Catetan: Urang bisa nyaluyukeun eusi unggal aw mateial pikeun poduce nu cucible accoding customes ' equiement. Silicon Cabide Cucible Kaunggulan High stength Konduktivitas themal alus ékspansi themal low Esisstance panas tinggi Stength tinggi ...
